图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 FJB3307D |
| 标准包装 | 800 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 8A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 400V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 3V @ 2A, 8A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 5 @ 5A, 5V |
| 功率 - 最大 | 1.72W |
| 频率转换 | - |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | NPN Transistors###/catalog/en/partgroup/npn-transistors/14957?mpart=FJB3307DTM&vendor=261&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| 包装 | 3D2PAK |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 400 V |
| 集电极最大直流电流 | 8 A |
| 最小直流电流增益 | 8@2A@5V|5@5A@5V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1@0.4A@2A|2@1A@5A|3@2A@8A V |
| 最大集电极基极电压 | 700 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 1720 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 8 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 1720 |
| 最大基地发射极电压 | 9 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 700 |
| 供应商封装形式 | D2PAK |
| 最大集电极发射极电压 | 400 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 8A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 3V @ 2A, 8A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 400V |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 1.72W |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 5 @ 5A, 5V |
| 其他名称 | FJB3307DTMTR |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power NPN Transistor |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
| 身高 | 4.83mm |
| 长度 | 10.67mm |
| 最大的基射极饱和电压 | 2 V |
| 最大基地发射极电压 | 9 V |
| 最大工作频率 | 1 MHz |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 包装类型 | D2PAK |
| 宽度 | 9.65mm |
| 晶体管极性 | :NPN |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :400V |
| 功耗 | :1.72W |
| DC Collector Current | :8A |
| DC Current Gain hFE | :40 |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| No. of Pins | :2 |
| Weight (kg) | 0 |
| Tariff No. | 85412100 |
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